据韩媒报道，三星电子副总裁柳昌植（DRAM先进开发团队负责人）近日表示，三星电子下一代DRAM路线图进展良好，1b DRAM正在顺利量产，4F Square也正在顺利开发，三星将在内存领域保持超级差距。

其中，4F Square DRAM 是下一代DRAM，其存储单元（存储数据的最小单位）结构垂直而不是水平排列。平方是衡量向单元中的晶体管施加电压的组件面积有多大的指标。

目前商业化的DRAM具有6F Square结构。由于DRAM的密度和性能随着单元面积的减小而提高，因此各大原厂都集中精力开发技术以推进到4F Square。三星预计明年将开发出 4F Square DRAM 的初始样品。

此外，三星电子正专注于开发尖端的DRAM解决方案，包括量产1b（第五代10纳米级DRAM）DRAM以及验证具有业界最高运行速度的LPDDR5X。

三星电子已于今年第一季度完成了1b DRAM的内部质量测试，目前正在为全面量产做准备。三星计划在今年年底前将1b DRAM的产能扩大至每月10万片。