据路透社引知情人士消息称，三星电子和SK海力士正在升级其中国工厂的NAND闪存产线，目标是将堆叠层数提升至200层以上，使中国工厂的技术水平尽量接近韩国本土工厂。

这一升级主要有两层背景：一是长江存储NAND市场份额快速提升，韩系厂商面临压力；二是AI服务器、数据中心和企业级SSD对高容量NAND闪存需求持续增长。

据CFM闪存市场数据显示，2026年二季度三星占全球NAND Flash市场份额的27.5%，排名第一；SK海力士市场份额18.5%，排名第二；长江存储市场份额15.0%，排名第三。

三星西安工厂：转向286层V9 NAND

三星西安工厂约占其全球NAND产量的40%，目前主要生产约200层级别的NAND芯片。

知情人士称，三星正在推进内部代号为“Monami”的项目，将西安工厂改造为生产286层V9 NAND。其目标是在2026年12月实现月产5000片晶圆，并在2027年12月提升至月产能4万片。

三星方面证实，相关升级改造正在进行中，并已与美国政府密切协商。 此次升级旨在满足包括美国客户在内的全球客户日益增长的需求，并未扩大产能或建设新的生产设施。

SK海力士大连工厂：从192层向240层以上升级

SK海力士位于大连的工厂目前生产192层NAND产品。知情人士称，SK海力士计划将该工厂转向生产240层及以上的NAND产品。

该工厂源自SK海力士2021年收购英特尔NAND业务，目前仍是其旗下Solidigm业务的重要NAND制造基地。

知情人士透露，SK海力士已获准在大连生产最高240层芯片，并可能进一步寻求美国许可，在此开展300层以上芯片的研发，为未来在美国的潜在生产做准备。

SK海力士表示，其大连工厂的设备安装工作正持续开展，并已就此与美国政府沟通，但并未披露具体生产计划。

监管仍是关键变量

自2022年美国加强对华芯片制造设备出口管制以来，三星和SK海力士在中国工厂安装部分美制设备需每年申请许可证。美国商务部工业与安全局曾在2025年表示，倾向批准在华外国芯片制造商维持现有工厂所需设备的许可证申请，但不打算批准其扩大产能或升级技术。

报道称，目前无法确定美国在多大程度上向三星和 SK 海力士发放了其计划升级所需的设备的出口许可证。此次升级能否完全按既定节奏推进，仍取决于美方对相关设备出口许可的审批情况。